Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Função: 2xP-CH 20V. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7204. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ -5.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 860pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 4.6A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 4.6A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 870pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 15A. DI (T=100°C): 3.7A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -12V, -6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7233. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 26 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 77 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -12V, -9.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -9.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7233. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -9.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 26 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 77 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -20V, -4.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7304. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ -2.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 610pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -3.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7306. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -20V, -5.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7314. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.058 Ohms @ -2.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 63 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 780pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--30Ap

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -3.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7316. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.098 Ohms @ -3.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 710pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 6.4A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo de transistor: PNP & PNP. Quantidade por caixa: 2. Função: Transistor Mosfet de canal P duplo, Resistência RDS ultrabaixa

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: P. Equivalentes: IRF7342PBF. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2. Função: IDM--27Ap

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7342. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -55V, -3.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7342. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 22 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 10A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1700pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 59 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 2.04V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -10A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7416. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.04V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 59 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -11A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7424. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0035 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.04V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4030pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 15A, 25uA, SO, SO-8, 20V. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 7980pF. Custo): 1480pF. Tipo de canal: P. Id(im): 60A. DI (T=100°C): 12A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.082 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 230 ns. Td(ligado): 13 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 1.2V. Vgs(th) mín.: 0.45V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 11A, 25uA, 250uA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 200V. DI (T=25°C): 11A. Idss: 25uA. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204AA ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1200pF. Custo): 570pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 7A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 50M Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 85 ns. Td(ligado): 38 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: HEXFET. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 20A, 150uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 150uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação de laptop. Id(im): 160A. DI (T=100°C): 7.1A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.039 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -100V, -4A, TO-220, TO-220AB, 100V, 1. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. Carcaça (padrão JEDEC): 1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9510PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 6.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 390pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.8A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 6.8A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Id(im): 27A. DI (T=100°C): 4.1A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS