Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO220-3. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. Proteção GS: NINCS. Id(im): 32.5A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 18.7A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 230pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento com classificação dv/dt. Proteção GS: diodo . Id(im): 74.8A. DI (T=100°C): 13.2A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 18P06P. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 81W. On-resistência Rds On: 0.102 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.7V

Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. RoHS: sim. C (pol.): 340pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 7.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 10P6F6. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 64 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 80A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 5500pF. Custo): 1130pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. DI (T=100°C): 57A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: STripFETTM II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -60V, -53A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SUP53P06-20. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 104W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -4.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 745pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-92, -100V, -0.23A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.23A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVP2110A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 8 Ohms @ -0.375A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 100pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -60V, -0.09A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.09A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: ZVP3306F. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ -0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 8 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-92, -240V, -0.2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 11 Ohms @ -0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.0V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C