Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L7. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 380pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L7. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 380pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -30V, -2.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: N7. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: N9. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 210pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -12V, -3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: M5. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -0.9V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 715pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -40V, -3.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P7. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 60 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 27 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 595pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -20V, -4.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.0V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 25 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 71 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1020pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1225pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -12V, -6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: O4. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 26 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1275pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. DI (T=25°C): 2.45A. Idss (máx.): 5nA. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): TSOP-6. Tensão Vds(máx.): 20V. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 16A. DI (T=100°C): 1.95A. IDss (min): 1nA. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1nA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) mín.: 0.45V

Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 35ms. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 45ms. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11.4A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 41ms. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 9.1A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4431BDY-T1-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4431CDY-T1-GE3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1006pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 8.8A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: D-S-MOSFET

Transistor de canal P, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. Diodo Trr (mín.): 60 ns. Proteção GS: NINCS. DI (T=100°C): 5.7A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

Transistor de canal P, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.3A. Idss (máx.): 7.3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 2. Função: td(on) 10ns, td(off) 45ns. DI (T=100°C): 5.9A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. On-resistência Rds On: 0.024 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

Transistor de canal P, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V, 3.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4948BEY-T1-GE3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 10nA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 600pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 30A. DI (T=100°C): 3.8A. IDss (min): 1nA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.2W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 5.3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, -20V, -2.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI9953DY. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 90 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 335pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 60us. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 6.2A. IDss (min): 0.1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. RoHS: sim. Spec info: ID pulse 35.2A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V