Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 650pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 64A. DI (T=100°C): 11A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 270pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.2A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9.6 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -5.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR9014PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 270pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 11A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR9024N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 38W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -55V, -11A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR9024N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.175 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 38W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -8.8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -8.8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR9024PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -5.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 570pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 5.6A. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET

Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -100V, -6.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR9120N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3.6A, 500uA, D-PAK ( TO-252AA ), 200V. DI (T=25°C): 3.6A. Idss (máx.): 500uA. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK ( TO-252AA ). Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 340pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2.3A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7.3 ns. Td(ligado): 8.8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Função: relação dv/dt dinâmica, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -200V, -3.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR9220PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -2.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 11A, 250uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 8A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -20V, -24A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L5602S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ -12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 53 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1460pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -30V, -0.76A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.76A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ -0.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 75pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3A, 5uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 30 v. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 5uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 510pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 24A. DI (T=100°C): 2.4A. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD H. Marcação na caixa: H. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.25W. On-resistência Rds On: 0.098 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -30V, -3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.165 Ohms @ -2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 350 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 88pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -20V, -0.62A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.62A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: C. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.61A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 97pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.54W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3.7A, 25uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ), 20V. DI (T=25°C): 3.7A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO-236AB ) ( Micro3 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 633pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 22A. DI (T=100°C): 2.2A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.05 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 588 ns. Td(ligado): 350 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 1.2V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -20V, -3.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.135 Ohms @ -3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 350 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 588 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 633pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -5.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23/6. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: 2E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1079pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 200A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOPLUS247, 600V. Ic(T=100°C): 200A. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOPLUS247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2560pF. Custo): 210pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Função: C2-Class High Speed IGBT. Corrente do coletor: 60A. Ic(pulso): 33A. Nota: caixa isolada . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 18 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal P, 90A, 250uA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 90A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 12pF. Custo): 2210pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: P-Channel Enhancement Mode. Id(im): 270A. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 890W. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 89 ns. Td(ligado): 32 ns. Tecnologia: PolarPTM Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS