Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, 12A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 860pF. Custo): 340pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 8.2A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 88W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 14A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 760pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 56A. DI (T=100°C): 10A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -100V, -14A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9530. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -8.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 760pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 79W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 19A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1400pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 72A. DI (T=100°C): 13A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 23A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 76A. DI (T=100°C): 16A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, -100V, 23A, TO-220AB <.45/32nsec. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V. Corrente máxima de drenagem: 23A. Carcaça: TO-220AB <.45/32nsec. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Potência: 125W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -100V, -23A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9540. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 170pF. Custo): 50pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 7A. DI (T=100°C): 1A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. On-resistência Rds On: 3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -200V, -1.8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9610PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 170pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3.5A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 350pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Proteção GS: NINCS. Id(im): 14A. DI (T=100°C): 2A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -200V, -3.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9620PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 1.5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 2.4 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, 6.5A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 700pF. Custo): 200pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, -200V, 6.5A, TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -200V. Corrente máxima de drenagem: 6.5A. Carcaça: TO-220AB. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Potência: 75W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -200V, -6.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9630PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 28 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 11A, 500uA, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1200pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. DI (T=100°C): 6.6A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Potência: 125W. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -200V, -11A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9640PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -200V, -11A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F9640S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -2.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F9953. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 12A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 350pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 8.5A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. On-resistência Rds On: 0.175 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 620pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Proteção GS: NINCS. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -55V, -19A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF9Z34NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 620pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 620pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Proteção GS: NINCS. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -19A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -19A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F9Z34NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 620pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 68W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 270pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Proteção GS: NINCS. Id(im): 8.8A. DI (T=100°C): 0.8A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V