Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.70€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.61€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.56€ |
25 - 49 | 1.24€ | 1.53€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.07€ | 1.32€ |
250 - 644 | 1.03€ | 1.27€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.38€ | 1.70€ |
5 - 9 | 1.31€ | 1.61€ |
10 - 24 | 1.27€ | 1.56€ |
25 - 49 | 1.24€ | 1.53€ |
50 - 99 | 1.22€ | 1.50€ |
100 - 249 | 1.07€ | 1.32€ |
250 - 644 | 1.03€ | 1.27€ |
Transistor de canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V - IRF9Z34NS. Transistor de canal P, 19A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 620pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 54ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Proteção GS: NINCS. Id(im): 68A. DI (T=100°C): 14A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.
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