Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, SO, SO-8, 30 v. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Função: MOSFET PowerTrench 30V de canal P duplo . Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: canal P. Spec info: td(on) 13ns, td(off) 48ns

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Quantidade por caixa: 2. Tecnologia: canal P. Spec info: td(on) 12ns, td(off) 68ns

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -11A, 1, SO, SO-8, 30 v. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 200 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2470pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Marcação do fabricante: Faixa VGS estendida (-25V) para aplicações operadas por bateria. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: FDS6675BZ

Transistor de canal P, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2890pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 65A. DI (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 7.7m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SO8, -30V, -5.3A, 1, SO, SO-8, 30 v. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.3A. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS9435A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 528pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal P, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: P. Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.075 Ohms

Transistor de canal P, 0.46A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. DI (T=25°C): 0.46A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. C (pol.): 63pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1.5A. DI (T=100°C): 0.87 Ohms @ -0.5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 304. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. On-resistência Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.65V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tensão da porta de operação tão baixa quanto 2,5V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 36A, 100uA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 2550pF. Custo): 710pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 198 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 144A. DI (T=100°C): 25.5A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 294W. On-resistência Rds On: 0.076 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 155 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Carga de porta baixa (típico 81nC). Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1100pF. Custo): 510pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 102A. DI (T=100°C): 19.1A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 2.7A, 10uA, TO-220, TO220, 500V. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 510pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 10.8A. DI (T=100°C): 1.71A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. On-resistência Rds On: 3.9 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: faible charge de porte (typ 18nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 9.4A, 10uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=25°C): 9.4A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 420pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 83 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 37.6A. DI (T=100°C): 5.95A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: DMOS POWER-MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1C ), 250V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264 ( 2-21F1C ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. C (pol.): 1450pF. Custo): 450pF. Tipo de canal: P. Corrente do coletor: 20A. Ic(pulso): 60A. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Número de terminais: 3. Função: Transistor MOS IGBT de canal P. Spec info: amplificador de áudio. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal P, 74A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 74A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3400pF. Custo): 1400pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 89 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra Low On-Resistance. Id(im): 260A. DI (T=100°C): 52A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -55V, -74A, 200W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -74A. Carcaça (padrão JEDEC): 200W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF4905. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 61 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F4905S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 61 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -64A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -64A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F4905S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -38A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 40A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2700pF. Custo): 790pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 140A. DI (T=100°C): 29A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 79 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 40A, TO-220AB, -100V. Corrente máxima de drenagem: 40A. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -100V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms

Transistor de canal P, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2860pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 140A. DI (T=100°C): 24A. IDss (min): 50uA. Marcação na caixa: F5210S. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.8W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -100V, -40A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -40A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5210S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 17 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 79 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1200pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 110A. DI (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 31A, TO-220AB, -55V. Corrente máxima de drenagem: 31A. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): -55V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: P. Potência: 110W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5305S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5305S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 13A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 150V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 860pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 160 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 44A. DI (T=100°C): 9A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS