Transistor de canal P, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF5305

Transistor de canal P, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF5305. Transistor de canal P, 31A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1200pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: sim. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Infineon (irf). Quantidade em estoque atualizada em 01/08/2025, 09:25.