Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 2.97€ | 3.65€ |
5 - 9 | 2.82€ | 3.47€ |
10 - 24 | 2.73€ | 3.36€ |
25 - 49 | 2.10€ | 2.58€ |
50 - 99 | 2.05€ | 2.52€ |
100 - 249 | 1.98€ | 2.44€ |
250 - 750 | 1.91€ | 2.35€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.97€ | 3.65€ |
5 - 9 | 2.82€ | 3.47€ |
10 - 24 | 2.73€ | 3.36€ |
25 - 49 | 2.10€ | 2.58€ |
50 - 99 | 2.05€ | 2.52€ |
100 - 249 | 1.98€ | 2.44€ |
250 - 750 | 1.91€ | 2.35€ |
Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A - IRF5305STRLPBF. Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, -55V, -31A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -31A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F5305S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.06 Ohms @ -16A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 110W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Infineon. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 16:25.
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