Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -100V, -0.68A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP316. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 110 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -250V, -0.26A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP92P. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 101 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 104pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-92, -50V, -170mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSS110. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 45pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.63W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 130mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 25pF. Custo): 15pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(im): 520mA. DI (T=100°C): 75mA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 11W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. On-resistência Rds On: 6 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS vertical em modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Spec info: serigrafia/código SMD 11W. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 13. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 45pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.18A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: VS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 48 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 36pF

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: Pd (dissipação de energia, máx.). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 36pF

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 734pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Número de terminais: 2. Spec info: transistor complementar (par) BUZ901. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1802pF. Custo): 415pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. DI (T=100°C): 9A. Marcação na caixa: P3020LS. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.0116 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 5.1 ns. Tecnologia: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Diversos: Velocidade de comutação rápida, baixo vazamento de entrada/saída. Função: Baixa resistência, baixa tensão limite de porta, baixa capacitância de entrada. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão Vds(máx.): 200V. Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 1850pF. Custo): 850pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 105 ns. Td(ligado): 150 ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.1V. Spec info: transistor complementar (par) ECW20N20. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: Transistor de potência MOSFET de canal P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementar (par) ECX10N20. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Tensão Vds(máx.): 35V. C (pol.): 530pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 365P. Marcação na caixa: 365 P. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Inversores, fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23/6, -20V, -4.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23/6. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: .638. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 33 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: TSOP. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 700pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Nota: serigrafia/código SMD 642. Marcação na caixa: 642. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Função: Interruptor de carga, proteção da bateria. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal P, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SUPERSOT-6. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 630pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 250uA. Nota: serigrafia/código SMD FDC642P. Marcação na caixa: FDC642P. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.2W. On-resistência Rds On: 0.0525 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23.5 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Função: Interruptor de carga, proteção da bateria. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 58A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 2085pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ‘Tecnologia de valas de alto desempenho’. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 50A. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Marcação na caixa: FDD4141. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 69W. On-resistência Rds On: 12.3m Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: resistência RDS(on) extremamente baixa. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. RoHS: sim. C (pol.): 759pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 45A. DI (T=100°C): 15A. IDss (min): 1uA. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Marcação na caixa: FDD5614P. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.076 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1715pF. Custo): 440pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 100A. DI (T=100°C): 11A. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -12V, -2.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 306. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 61 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1138pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. DI (T=25°C): 1.6A. Idss (máx.): 0.1uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 451pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Gerenciamento de bateria. Id(im): 5A. IDss (min): n/a. Nota: serigrafia/código SMD 338. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.088 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.4V

Transistor de canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 182pF. Custo): 56pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Single P-Channel, Logic Level. Id(im): 5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 358. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -60V, -1.25A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 618. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 16.5 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 430pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1604pF. Custo): 408pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 13 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2010pF. Custo): 590pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 36ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 12 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1385pF. Custo): 275pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: controlador de carga da bateria. Id(im): 50A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: canal P. Spec info: Nível de proteção ESD HBM de 3,8kV. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: sim