Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.60€ | 0.74€ |
5 - 9 | 0.57€ | 0.70€ |
10 - 24 | 0.54€ | 0.66€ |
25 - 49 | 0.51€ | 0.63€ |
50 - 99 | 0.50€ | 0.62€ |
100 - 249 | 0.52€ | 0.64€ |
250 - 1191 | 0.47€ | 0.58€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 0.60€ | 0.74€ |
5 - 9 | 0.57€ | 0.70€ |
10 - 24 | 0.54€ | 0.66€ |
25 - 49 | 0.51€ | 0.63€ |
50 - 99 | 0.50€ | 0.62€ |
100 - 249 | 0.52€ | 0.64€ |
250 - 1191 | 0.47€ | 0.58€ |
Transistor de canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v - FDN358P. Transistor de canal P, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. DI (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 182pF. Custo): 56pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Single P-Channel, Logic Level. Id(im): 5A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 358. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.105 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 13:25.
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