Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.12€ | 0.15€ |
250 - 499 | 0.11€ | 0.14€ |
500 - 40615 | 0.10€ | 0.12€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.12€ | 0.15€ |
250 - 499 | 0.11€ | 0.14€ |
500 - 40615 | 0.10€ | 0.12€ |
Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A - BSS84LT1G-PD. Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: Pd (dissipação de energia, máx.). Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 12 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 36pF. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 13:25.
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