Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ

Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v - FDS4435BZ. Transistor de canal P, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1385pF. Custo): 275pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: controlador de carga da bateria. Proteção GS: sim. Id(im): 50A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: sim. Spec info: Nível de proteção ESD HBM de 3,8kV. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: canal P. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.