Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84

Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS84. Transistor de canal P, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 130mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 25pF. Custo): 15pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Proteção GS: NINCS. Id(im): 520mA. DI (T=100°C): 75mA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 11W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. On-resistência Rds On: 6 Ohms. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 11W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 7 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS vertical em modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante Yangjie Electronic Technology. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 03:25.