Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120
| Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.88€ | 1.08€ |
| 5 - 9 | 0.83€ | 1.02€ |
| 10 - 24 | 0.79€ | 0.97€ |
| 25 - 49 | 0.75€ | 0.92€ |
| 50 - 99 | 0.73€ | 0.90€ |
| 100 - 249 | 0.71€ | 0.87€ |
| 250+ | 0.68€ | 0.84€ |
| Quantidade | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 0.88€ | 1.08€ |
| 5 - 9 | 0.83€ | 1.02€ |
| 10 - 24 | 0.79€ | 0.97€ |
| 25 - 49 | 0.75€ | 0.92€ |
| 50 - 99 | 0.73€ | 0.90€ |
| 100 - 249 | 0.71€ | 0.87€ |
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Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V - IRFR9120. Transistor de canal P, 5.6A, 5.6A, D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 5.6A. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 3.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 13:25.
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Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
Transistor de canal P, 6.6A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 100V. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 350pF. Custo): 110pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26A. DI (T=100°C): 4.2A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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