Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-92, -30V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J175. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Família de componentes: Transistor JFET de canal P. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (máx.): 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. IDss (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. On-resistência Rds On: 250 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Função: VGS(off) 1V...4V

Transistor de canal P, 5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (máx.): 5mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 5pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. IDss (min): 1mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 6E. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: J-FET Ampl.. Tensão porta/fonte Vgs: 4 v. Vgs(th) mín.: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Idss (máx.): 9mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 5pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: JFET. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 61U. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: J-FET Ampl.. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 4.5V. Vgs(th) mín.: 7.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 61U. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 60mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Idss (máx.): 60mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 11pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. IDss (min): 7mA. IGF: 50mA. Marcação na caixa: 6W. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 6V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia/código SMD 6W. Unidade de condicionamento: 3000

Transistor de canal P, 20mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (máx.): 20mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 25V. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Tipo de transistor: JFET. IDss (min): 1.5mA. IGF: 50mA. Marcação na caixa: 6Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: P-Channel Switch. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.8V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD 6Y. Unidade de condicionamento: 3000

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -30V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6Y. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: -20mA. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: +2.5V @ -15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Família de componentes: Transistor JFET de canal P. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 45pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -500V, -2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MTP2P50EG. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ -1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 24 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1183pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -30V, -50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -50A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: M50P03HDLG. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ -25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 117 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-220AB, -20V, -24A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -24A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDP6020P. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -24A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -0.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1590pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.12A, 200uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. DI (T=25°C): 0.12A. Idss (máx.): 200uA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 79pF. Custo): 10pF. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 17 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 610. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. On-resistência Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia/código SMD 610. Função: Interruptor de sinal pequeno de canal P controlado por tensão, design de célula de alta densidade para baixo RDS (ON). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 1A, 10uA, SSOT, SSOT-3 ( SuperSOT-3 ), 20V. DI (T=25°C): 1A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SSOT. Habitação (conforme ficha técnica): SSOT-3 ( SuperSOT-3 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 195pF. Custo): 105pF. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. IGF: 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 8 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -30V, -0.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDS352APRL. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -0.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 135pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 2.3A, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 2.3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: P. Condicionamento: rolo. Função: Canal P e P duplo de 60 V. Id(im): 10A. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Quantidade por caixa: 2. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: 2xP-CH 60V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -30V, -5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDT452AP. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 690pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -30V, -7.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NDT456P. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms @ -5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -15.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -15.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20P06LG. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ -7.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1190pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 12A, 100uA, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 500pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: NT2955. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 36A/10ms. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -12A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: NT2955G. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ -6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 750pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 55W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 12A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 500pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 50us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: NT2955. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. On-resistência Rds On: 0.155 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Função: ID pulse 36A/10ms. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, SO, SOP-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SOP-8. Função: 27.5 & 34m Ohms). Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: par de transistores MOSFET complementares de canal N e canal P. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal P, 8A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 690pF. Custo): 310pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aprimoramento de nível lógico. Id(im): 32A. DI (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19.8 ns. Td(ligado): 6.7 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, 8A, 25uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 125us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 6A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D8P05. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET MegaFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ID pulse 20A. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal P, TO-220FP, TO-220F, 630V. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 630V. C (pol.): 1250pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: P. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão porta/emissor VGE: 30 v. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: Panasonic--TX-P50VT20EA. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS