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Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY

Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY
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Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v - SI9435BDY. Transistor de canal P, 5.3A, 5.3A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 5.3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor MOSFET de canal P. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.055 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: V-MOS. Produto original do fabricante Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 17:25.

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Transistor de canal P, 5.3A, 100nA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 100nA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 528pF. Custo): 132pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: sim. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V
FDS9435A
Transistor de canal P, 5.3A, 100nA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 5.3A. Idss (máx.): 100nA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 528pF. Custo): 132pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: sim. Spec info: VGS(th) 1V...3V, ID=250uA. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 14 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: P-Channel PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V
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