Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401DY

Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401DY
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Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V - SI4401DY. Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 45ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 11:25.

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Transistor de canal P, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. DI (T=25°C): 8.7A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 40V. Tipo de canal: P. Diodo Trr (mín.): 35ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. DI (T=100°C): 5.9A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
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