PMBT4401

PMBT4401. C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Corrente do coletor: 0.6A. Ic(pulso): 0.8A. Marcação na caixa: p2X, t2X, W2X. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementar (par) PMBT4401. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 14/01/2025, 12:25.