Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.45€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.39€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.24€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.21€ |
100 - 249 | 0.96€ | 1.18€ |
250 - 2126 | 0.91€ | 1.12€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.18€ | 1.45€ |
5 - 9 | 1.13€ | 1.39€ |
10 - 24 | 1.07€ | 1.32€ |
25 - 49 | 1.01€ | 1.24€ |
50 - 99 | 0.98€ | 1.21€ |
100 - 249 | 0.96€ | 1.18€ |
250 - 2126 | 0.91€ | 1.12€ |
Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A - SI2333CDS-T1-GE3. Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1225pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 10:25.
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