Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.05€ | 1.29€ |
5 - 9 | 1.00€ | 1.23€ |
10 - 24 | 0.97€ | 1.19€ |
25 - 49 | 0.95€ | 1.17€ |
50 - 99 | 0.93€ | 1.14€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.11€ |
250 - 535 | 0.87€ | 1.07€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.05€ | 1.29€ |
5 - 9 | 1.00€ | 1.23€ |
10 - 24 | 0.97€ | 1.19€ |
25 - 49 | 0.95€ | 1.17€ |
50 - 99 | 0.93€ | 1.14€ |
100 - 249 | 0.90€ | 1.11€ |
250 - 535 | 0.87€ | 1.07€ |
Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V - STD10P6F6. Transistor de canal P, 10A, 10uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. RoHS: sim. C (pol.): 340pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: circuitos de comutação . Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. DI (T=100°C): 7.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 10P6F6. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 64 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 02:25.
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