Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024

Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V - IRFD9024. Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 13A. DI (T=100°C): 1.1A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 21:25.