Transistor de canal P, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9110

Transistor de canal P, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V - IRFD9110. Transistor de canal P, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 5.6A. DI (T=100°C): 0.49A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET POWWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante International Rectifier. Quantidade em estoque atualizada em 25/07/2025, 17:25.