Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Material semicondutor: silício. FT: 120MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 900mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA966. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA968

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Baixo ruído, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 350. Marcação na caixa: C2240BL. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970BL. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Custo): 3pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: C224GR. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial (Processo PCT) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA970GR. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 35. Ic(pulso): 3A. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: VID-L. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-236, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220AB, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 3A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta tensão, amplificador de potência AF. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1011. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Custo): 20pF. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: CTV-NF/VA. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Marcação na caixa: C2383 Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1013. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.15A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 390. Ganho mínimo de hFE: 180. Marcação na caixa: BQ. Temperatura: +155°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 400mV. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: serigrafia/código SMD BQ. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1037. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, P22/U, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: P22/U. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Função: CSC2342. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: altura 5mm

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 30 v. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 70. Ic(pulso): 5A. Marcação na caixa: C2500. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício epitaxial NPN. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 90V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 17A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 17A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 200V. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 400V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO3P ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, D17/C, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D17/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.75W

Transistor NPN, soldagem PCB, D8/C, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, D6/C, 20mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D6/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V/30V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.1W

Transistor NPN, 1A, 40V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126F, 180V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Função: hFE 100...200. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.2A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 19pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 155 MHz. Função: HF. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 2.5A. Marcação na caixa: C2690A Y. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1220A . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS