Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-236, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 300mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Para silenciar e mudar. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 400mW. RoHS: sim. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 130 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.042V. Vebo: 25V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 70mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 70mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V/160V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 70mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC2910. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 180V/160V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Frequência de corte ft [MHz]: 400. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 70mA. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 140mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1208. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.14A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 180V. Corrente do coletor: 0.14A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Velocidade de comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1209. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 150mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Comutação de alta corrente. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 70. Nota: para alternar aplicativos. Nota: transistor complementar (par) 2SA1244. Marcação na caixa: C3074. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, D8A/C, 50mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8A/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/19V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, soldagem PCB, D6/C, 150mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D6/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 150mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 150mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V/50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.4W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 180V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tensão do coletor/emissor Vceo: 180V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: TV-NF/E. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1249. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Aplicações de reguladores de comutação. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência NPN . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SC3157. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SA1265. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 40V. Corrente do coletor: 0.02A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 550 MHz. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.05A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 660 MHz. Função: TV-ZF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.15A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.15A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: uso geral. Marcação na caixa: C3198. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, TO-92, 150mA, TO-92, 50V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 150mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: NINCS. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 700. Ganho mínimo de hFE: 70. Número de terminais: 3. Temperatura: +125°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Spec info: substituição KTA1267. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 40V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Hi-Beta, lo-sat.. Ganho mínimo de hFE: 500. Nota: 9mm. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo Epitaxial . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V