Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 600mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P2N2222A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 6.2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 75. Ic(pulso): 15A. Nota: transistor complementar (par) PBSS4041PX. Marcação na caixa: 6F. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 220 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 35mV. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 320mV. Vebo: 5V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD 6F. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor com resistor de polarização integrado. Ganho mínimo de hFE: 80. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: *08. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/código SMD P08/T08

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de comutação NPN. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 130.41594. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 500 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 15V. Spec info: serigrafia/código SMD P1J, T1J. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 0.8A. Marcação na caixa: p2X, t2X, W2X. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementar (par) PMBT4401. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Custo): 19pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de uso geral. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 80...450. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de uso geral. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Spec info: hFE 240...600. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Custo): 75pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: Amplificador de uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-363, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-363. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: D*2. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: par de transistores NPN e PNP

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 100pF. Material semicondutor: silício. Função: DTR.. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código CMS XJ

Transistor NPN, soldagem PCB, ITO-218, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-218. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: S2000N. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1.5 kV. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247-T. Tensão coletor-emissor VCEO: 1500V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247-T. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Potência: 50W. Diodo embutido: sim

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Custo): 9pF. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Custo): 35pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) SAP15P. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Custo): 35pF. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) SAP15P. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 400V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 8pF. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 25. Marcação na caixa: s1D. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Função: amplificador de alta tensão, versão SMD do MPSA42 . Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) SMBTA92. Spec info: serigrafia/código SMD S1D . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Custo): 9pF. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: S8050 C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Custo): 28pF. Material semicondutor: silício. Função: Operação push-pull classe B. Ganho máximo de hFE: 135. Ganho mínimo de hFE: 96. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.16V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: excelente linearidade hFE. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 270 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.45W. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: 13005A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 16. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 13007A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Resistor BE: 50. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: ST13009L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Função: hFE 15...28. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ST13009L. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN. Custo): 122pF. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS