Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 400V, 1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 1W

Transistor NPN, 50V, 3A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.75W. Frequência máxima: 90MHz

Transistor NPN, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente do coletor: 18A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: De alta velocidade.. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 35A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Vbe(sat)1.5V. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Spec info: com resistor de polarização Rbe. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: com resistor de polarização Rbe. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Habitação (conforme ficha técnica): EMT6. Quantidade por caixa: 2. Nota: serigrafia/código SMD H21. Marcação na caixa: H21. Número de terminais: 6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD SO6*

Transistor NPN, EMT6. Habitação (conforme ficha técnica): EMT6. Quantidade por caixa: 2. Nota: serigrafia/código SMD H9C. Marcação na caixa: H9C. Número de terminais: 6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD SO6*

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: INFI->PANAS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: transistor unijunção UJT, hi-beta, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) ZTX788. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX550. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX551. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Corrente do coletor: 300mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 240 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 35V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.23V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 100V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 30pF. Material semicondutor: silício. FT: 175 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat) 0,9V. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1200 ns. Tf(min): 80 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.13V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) ZTX753. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 500, Very low-sat VBE(sat) 0.9V. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX790. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Saturação muito baixa VBE(sat)0,92V. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SILICON PLANAR. Tf(máx.): 1100 ns. Tf(min): 45 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V