Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Custo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: >1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: TO-220. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP120. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 5A, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP122. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: silício. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: transistor complementar (par) TIP127. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (pol.): TO-220. Custo): 200pF. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Ganho máximo de hFE: +150°C. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP127G. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 8A, TO-220, TO220, 100V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP132. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: 15000. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) TIP137. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 4 v. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. C (pol.): TO-247. Custo): 60pF. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP147 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Função: Transistor Darlington de potência complementar . Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP147T. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington monolítico . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-247. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Nota: transistor complementar (par) TIP2955. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Spec info: Baixa tensão de saturação coletor-emissor. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 24. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP32C . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 25A, TO-247, TO-247, 100V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-247. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Data de produção: 1450. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 50A. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP36C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 25A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: TIP35CG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistores de potência complementares. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP42C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 18A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PMLH, 800V. Corrente do coletor: 18A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PMLH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: De alta velocidade.. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 35A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Vbe(sat)1.5V. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Spec info: com resistor de polarização Rbe. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: com resistor de polarização Rbe. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V

Transistor NPN, 10A, 800V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1600V

Transistor NPN, EMT6. Habitação (conforme ficha técnica): EMT6. Quantidade por caixa: 2. Nota: serigrafia/código SMD H21. Marcação na caixa: H21. Número de terminais: 6. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD SO6*

Transistor NPN, EMT6. Habitação (conforme ficha técnica): EMT6. Marcação na caixa: H9C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: *SMD SO6*. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 6. Nota: serigrafia/código SMD H9C

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: INFI->PANAS. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 120pF. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: transistor unijunção UJT, hi-beta, lo-sat. Ganho máximo de hFE: 1200. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) ZTX788. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.03V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX550. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: transistor complementar (par) ZTX551. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.35V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 300mA, TO-92, TO-92, 400V. Corrente do coletor: 300mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+200°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V