Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1D. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 5mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5mA. RoHS: NINCS. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 3EM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Frequência de corte ft [MHz]: 650 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Custo): 9pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: Y1. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8E. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: A8K. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.246W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 160V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: par de transistores complementares. Ganho mínimo de hFE: 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: PNP & NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA42. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Resistor BE: 10. Custo): 300pF. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 100MHz. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSA06. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, 30 v. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 10000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Tecnologia: Transistor Darlington. Tf(min): 125 MHz. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 10000. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 45V, 0.2A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Frequência máxima: 100 MHz

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Equivalentes: KSP42. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 500mV. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) MPSA92. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.3A, TO-92, TO-92 (ammo pak), 400V. Corrente do coletor: 0.3A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (ammo pak). Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 7pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 40. Equivalentes: KSP44, CMPSA44. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V. Tensão de saturação VCE(sat): 400mV. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 750mV. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 5mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5mA. RoHS: NINCS. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MPSH10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Frequência de corte ft [MHz]: 650 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 3pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Função: hFE 25...40. Quantidade por caixa: 1. Spec info: One Watt High Voltage Transistor. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92M ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 6pF. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 150000. Ganho mínimo de hFE: 25000. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 12V. Função: High hFE. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 28V. Tensão coletor-emissor VCEO: 28V. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: transistor com rede de resistores de polarização. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 60. Marcação na caixa: 8B. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 338mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores Digitais (BRT). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Número de terminais: 3. Nota: Panasonic NV-SD450. Nota: B1GBCFLL0035. Quantidade por caixa: 1. Spec info: serigrafia/código SMD 8B. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Data de produção: 201452 201512. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) NJW1302. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 60V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2.5 MHz. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Nota: hFE 20...70. Nota: transistor complementar (par) NTE219. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 115W. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.3V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Custo): 135pF. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Feito para Grundig. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS