Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 30pF. Custo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 0.8A. Marcação na caixa: p2X, t2X, W2X. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Spec info: serigrafia/código SMD P2X, T2X, W2X, transistor complementar (par) PMBT4401. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.75V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. BE diodo: NINCS. Custo): 19pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de uso geral. Spec info: hFE 80...450. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Amplificador de uso geral. Spec info: hFE 240...600. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 0.6A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 75pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: Amplificador de uso geral. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-363, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-363. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: par de transistores NPN e PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: D*2. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 100pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: DTR.. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. Spec info: serigrafia/código CMS XJ. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, ITO-218, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-218. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: S2000N. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1.5 kV. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. BE diodo: NINCS. Custo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) SAP15P. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 160V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/L, HI-FI Audio. Nota: hFE 5000...20000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) SAP15P. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 15A, 400V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 11pF. Custo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: amplificador de alta tensão, versão SMD do MPSA42 . Ganho mínimo de hFE: 25. Nota: transistor complementar (par) SMBTA92. Marcação na caixa: s1D. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD S1D . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 (Ammo-Pack). Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. BE diodo: NINCS. Custo): 9pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 200. Ganho mínimo de hFE: 120. Marcação na caixa: S8050 C. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: NINCS. Custo): 28pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Operação push-pull classe B. Ganho máximo de hFE: 135. Ganho mínimo de hFE: 96. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: excelente linearidade hFE. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.16V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 270 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.45W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 8A. Marcação na caixa: 13005A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 16. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: 13007A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 50. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 15...28. Marcação na caixa: ST13009L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Spec info: ST13009L. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN. BE diodo: NINCS. Custo): 122pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 32. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: N83003. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) STN93003. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V

Transistor NPN, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 215pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Transistor de potência NPN de comutação rápida de baixa tensão. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.6W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: HIGH SWITCH. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Spec info: alta velocidade. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: ISOWATT218. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação rápida de alta tensão. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: comutação, amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) TIP107. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 4A. Nota: >1000. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V