Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V - TT2140LS

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V - TT2140LS
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Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V - TT2140LS. Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FI. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Aplicações de saída de deflexão horizontal para TV em cores. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: com resistor de polarização Rbe. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante Sanyo. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 5V
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Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V
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