Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 3pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência bipolar . Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, 400V, 8A, TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220AB. Marcação do fabricante: MJE13007G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Potência: 80W. Frequência máxima: 14 MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, 150V, TO-220AB, 150V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 150V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: para amplificador de áudio. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15031G

Transistor NPN, 250V, 8A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz

Transistor NPN, TO-220, 8A, 250V, 8A, TO-220AB, 250V. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Marcação do fabricante: MJE15032G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 250V. Frequência de corte ft [MHz]: 30 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 50W. Frequência máxima: 30MHz. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE15033

Transistor NPN, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) MJE15035G. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Custo): 2.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400us. Tf(min): 70us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE18004G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 6A, 450V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: SMPS. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Spec info: SWITCHMODE. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. C (pol.): 1750pF. Custo): 100pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 34. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1000V, 8A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Potência: 120W

Transistor NPN, 5A, TO-225, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 80pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 45. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V. Spec info: transistor complementar (par) MJE210. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Resistor B: transistor de potência NPN . Resistor BE: 100V. C (pol.): 4A. Custo): 15W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Função: Comutação de alta velocidade, Áudio. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) MJE253. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 10A, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE3055T. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-fi e reguladores de comutação . Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-32, 500mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-32. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 ( TO-225 ), 500V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 0.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 ( TO-225 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L, VID.. Equivalentes: KSE340. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 30pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Resistor BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 50. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(min): 2us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 100W

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 1000pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE800G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN