Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW3281

Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW3281
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Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V - NJW3281. Transistor NPN, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 9pF. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Data de produção: 201452 201512. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) NJW1302. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 18:25.

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Transistor NPN, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 260V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: Transistor de potência bipolar complementar. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 45. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL1302A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V
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