Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400us. Tf(min): 70us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE18004G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, 450V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 14 MHz. Função: SMPS. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: SWITCHMODE. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 1750pF. Custo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13MHz. Função: Aplicações de fonte de alimentação em modo de comutação. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 34. Ic(pulso): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V

Transistor NPN, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 65MHz. Ganho máximo de hFE: 180. Ganho mínimo de hFE: 45. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) MJE210. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.8V. Vebo: 8V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 4mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE243G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: 40 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.015W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE3055T. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 2 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: para amplificadores de áudio Hi-fi e reguladores de comutação . Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE3055T . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 8V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 70. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE2955T. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, SOT-32, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: SOT-32. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-126. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126 ( TO-225 ), 500V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 ( TO-225 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L, VID.. Equivalentes: KSE340. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-225. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. BE diodo: NINCS. Custo): 30pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 30. Nota: caixa de plástico. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20.8W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJE350. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 3V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE340G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 300V. Dissipação máxima Ptot [W]: 20W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 50. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(min): 2us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V

Transistor NPN, 400V, 8A, TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 100W

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 1000pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE800G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: MJE803. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1000V, 5A, TO-220-F. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220-F. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Aplicações: comutação. Potência: 35W. Frequência máxima: 13MHz

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 50. Custo): 156pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 18. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 15A, 650V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: NF-L, TO-264. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. Spec info: TO-3PBL. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO–3PBL. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 75. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) MJL21193 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Base Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 250V, 16A, TO-264. Tensão coletor-emissor VCEO: 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Função: Amplificador de potência HI-FI. Potência: 200W

Transistor NPN, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Ganho máximo de hFE: 100. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: transistor complementar (par) MJL21195. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V