Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Pinagem: 1. C (pol.): 1.5pF. Custo): 11pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Pinagem: 1. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Marcação na caixa: D2012-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) KSB1366 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 20pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us

Transistor NPN, 5A, 100V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 12149-401-070

Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: SD882-Y

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 180pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Modo de comutação de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 24A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 4A, 60V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: b>750. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 0503-000001

Transistor NPN, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 600mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Marcação na caixa: R1002. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 22k Ohms. Resistor BE: 22k Ohms. Custo): 100pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: SW. Marcação na caixa: R1003. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Marcação na caixa: R1007. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 40V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S. Nota: 0.3W. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Custo): 0.8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 20mA, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 20mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Custo): 3.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 800 MHz. Função: FM-V/M/O. Ganho máximo de hFE: 198. Ganho mínimo de hFE: 40. Marcação na caixa: 15.8k Ohms. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, 80V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: hFE 20...90. Nota: T32. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 0.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 11 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 210V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 1pF. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, ISOWATT218FX, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Custo): 0.55pF. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 7.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): TO-218-FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Custo): 4pF. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4.5. Ic(pulso): 18A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 18. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 16A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-78. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-78. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Quantidade por caixa: 2. Potência: 0.46W