Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafia . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Display colorido Hor Defl de alto V (com diodo amortecedor) . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810D. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafado J6810. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 750V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J6812. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Nota: serigrafado J6812 . Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente do coletor: 17A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: J4315O. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FJL4215-O

Transistor NPN, 20A, TO-247, TO-247, 750V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: monitor de 19 polegadas. Spec info: VEBO 6V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Condicionamento: tubo de plástico. Material semicondutor: silício. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Ic(pulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 25

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 300mA. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007-1. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 110pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 39. Ganho mínimo de hFE: 26. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007-2. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 17. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 180pF. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 28. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: J13009-2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 619. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Frequência de corte ft [MHz]: 165 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Número de terminais: 3. Função: hFE 5000. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) FP1016

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 0.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.3A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT458. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT849. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 24A, ISOWATT218FX, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 24A. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA hi-res (F). Ic(pulso): 36A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 10V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 0.17...0.31us

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1. Função: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1. Função: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 47. Ganho mínimo de hFE: 29. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V. Spec info: Transistor Planar Epitaxial

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 160...320. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) HSB1109

Transistor NPN, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-5. Habitação (conforme ficha técnica): TO-5. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 35...125. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: Lo-Pwr BJT

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-92M