Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v - KSD882-Y

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Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v - KSD882-Y. Transistor NPN, 3A, TO-126F, TO-126F, 30 v. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: SD882-Y. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.

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Transistor NPN, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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Transistor NPN, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS
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