Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 7A, 450V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Comutação de alta velocidade

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: SMPS S-L. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 14. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Comutação de alta velocidade . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUL45D2G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 13 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO220AB CASE 221A-09. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Custo): 50pF. Material semicondutor: silício. FT: 13 MHz. Função: Transistor de potência NPN bipolar de alta velocidade e alto ganho. Ganho máximo de hFE: 34. Ganho mínimo de hFE: 22. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.28V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 12V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 4A, 500V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 500V. Material semicondutor: silício. Função: SMPS S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: alta velocidade. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.2A, TO-126F, TO-126F, 400V. Corrente do coletor: 1.2A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 5. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 200V, 70A, TO-3. Tensão coletor-emissor VCEO: 200V. Corrente do coletor: 70A. Carcaça: TO-3. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 350W

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 10A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 4us. Tf(min): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 10A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Tf 170ns

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, alta velocidade

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 4A, 350V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Função: S-L, SN. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sim. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV20. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 125V. Frequência de corte ft [MHz]: 8 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 CASE 221A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 190V. Material semicondutor: silício. Função: Projetado para aplicações de alta velocidade. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Tf(máx.): 150 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 7V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Material semicondutor: silício. Função: Velocidade de comutação rápida. Ic(pulso): 20A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 15A, 150V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, TO-247, 15A, TO-247, 450V, 1000V, 15A. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Tensão coletor-emissor VCEO: 1000V. Corrente do coletor: 15A. RoHS: sim. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us)

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantidade por caixa: 1. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V. Quantidade por caixa: 1. Função: alta tensão, comutação rápida. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS