Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Velocidade de comutação rápida. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, 150V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 15A, TO-247, 450V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Frequência de corte ft [MHz]: 8:1. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Spec info: ICP--55Ap (tp< 20us). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: alta tensão, comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, 400V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 175W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, 400V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: S. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 2A, TO-220, 450V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX85G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Frequência de corte ft [MHz]: 4 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V

Transistor NPN, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: S-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-82. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX87P. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 25 MHz. Função: S-L. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 2. Temperatura: +200°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, 2A, 800V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 2200V

Transistor NPN, 10A, 200V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 280V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Custo): 130pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) D45H11. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H11G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 10A, TO-220, TO-220, 60V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H8. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H8G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: S-L, Low-sat. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. Spec info: transistor complementar (par) D45VH10. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 90 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SC-59. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 10k Ohms. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10k Ohms. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: DTR.. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 24. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 24. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 0.2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 4.7k Ohms. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor com resistor de polarização integrado. Ganho mínimo de hFE: 200. Nota: serigrafia/código SMD 33. Marcação na caixa: *33, P33, t33, w33. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Data de produção: 2014/49. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 18. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V