Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA SMPS. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: TO-220AB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SMPS (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, ITO-218, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-218. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-199. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BU508AF. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 700V. Dissipação máxima Ptot [W]: 34W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, ISOWATT-218, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ISOWATT-218. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BU508DFI. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 700V. Frequência de corte ft [MHz]: 7 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 480V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 480V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-SN. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1100V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 330V/200V. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 330V/ 200V. Dissipação máxima Ptot [W]: 90W

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FH. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Spec info: TO-220FH. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Resistor BE: 42 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 230. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Spec info: ICM--(tp < 5ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Resistor BE: 260 Ohms. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. Função: hFE 60...230, caixa de plástico isolada. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. Spec info: tempo de queda 0,8us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BU941ZP. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 350V. Dissipação máxima Ptot [W]: 155W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor NPN, 15A, 400V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Nota: >300. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 500V

Transistor NPN, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: tempo de queda 625ns. Ganho máximo de hFE: 3400. Ganho mínimo de hFE: 500. Spec info: 360-450V Clamping. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: HV-POWER. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente do coletor: 30A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ic(pulso): 60A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Spec info: Transistor de potência de comutação rápida de alta tensão. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tecnologia Planar Multi Epitaxial de Alta Tensão . Tf(máx.): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): TO-218-ISO. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 7. Ic(pulso): 18A. Nota: hi-res, monitor 19. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: Icmax--18A <5mS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218 ( SOT93 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor de comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 14. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 22A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Spec info: Icm.22A <5ms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: MONITOR. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Alta resolução . Ganho máximo de hFE: 9. Ganho mínimo de hFE: 2.5. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. Spec info: MONITOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: ISOWATT218. Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Ganho máximo de hFE: 6. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: MONITOR. Tf (tipo): 190 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 10A, 700V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Nota: MONITOR. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. Spec info: Ts 2.1/3.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V