Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 200V, 70A, TO-3. Tensão coletor-emissor VCEO: 200V. Corrente do coletor: 70A. Carcaça: TO-3. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 350W

Transistor NPN, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 4us. Tf(min): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F ( SOT186A ), 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F ( SOT186A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V

Transistor NPN, 5A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Spec info: Tf 170ns. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 10A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 23W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: alta tensão, alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 450V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, 4A, 350V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 9 MHz. Função: S-L, SN. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 600V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 50A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 50A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV20. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 125V. Frequência de corte ft [MHz]: 8 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 250W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220 CASE 221A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 190V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Projetado para aplicações de alta velocidade. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. RoHS: sim. Tf(máx.): 150 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220AB, 120V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Velocidade de comutação rápida. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Spec info: VCE(sat) 0.7V...1.5V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 120ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 240V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 15A, 150V. Corrente do coletor: 15A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-247, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUV48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN, 450V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: alta tensão, comutação rápida. Ganho máximo de hFE: 35. Ganho mínimo de hFE: 10. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 5A, 400V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 450V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Ganho máximo de hFE: 50. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, 400V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V

Transistor NPN, 15A, TO-3PN, 400V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1000V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 15A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX48A. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 175W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C

Transistor NPN, 2A, 400V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: S. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V