Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 1700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1700V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: MONITOR 16KHz. Ic(pulso): 30A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.14us. Tipo de transistor: NPN. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 12A, 825V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 825V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Nota: MONITOR. Quantidade por caixa: 1. Spec info: 2.5us

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 160V/100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 280V/150V. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 600V, 10A, TO-3. Tensão coletor-emissor VCEO: 600V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 175W. Frequência máxima: 10MHz

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Material semicondutor: silício. FT: 6 MHz. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 20. Ganho mínimo de hFE: 12:1. Ic(pulso): 15A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 7A, TO-220, 200V, 200V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 200V. Tensão coletor-emissor VCEO: 200V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 400V. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Potência: 60W. Frequência máxima: 10MHz

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 175V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 12A, 375V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 375V. Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 850V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 12A, 400V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 900V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 6A, 375V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 375V. Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-SN. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 8A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 8A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 8A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA/Monitor. Ganho máximo de hFE: 7.3. Ganho mínimo de hFE: 4.2. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 13.5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Rbe 25 Ohms

Transistor NPN, 12A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Material semicondutor: silício. Função: CTV/Monitor. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: CTV-HA (isolado)

Transistor NPN, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Corrente do coletor: 16A. Carcaça: SOT-430. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-430. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Material semicondutor: silício. Função: CTV/Monitor. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: CTV-HA

Transistor NPN, 6A, 700V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 2.5A, 700V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA SMPS. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-220AB. Nota: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: SMPS (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-220F (SOT186)

Transistor NPN, soldagem PCB, ITO-218, 8A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-218. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 8A. RoHS: NINCS. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-199. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BU508AF. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 700V. Dissipação máxima Ptot [W]: 34W. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 34W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 1500V, 8A, TO-247. Tensão coletor-emissor VCEO: 1500V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Tipo de transistor: Transistor de Potência . Polaridade: NPN. Potência: 125W