Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.2A, 30 v. Corrente do coletor: 0.2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: UHF-A. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-264. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BFU590G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 24V. Frequência de corte ft [MHz]: 8.5GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Transistor de Alta Tensão. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) BFV421

Transistor NPN, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-72. Habitação (conforme ficha técnica): TO-72. Tensão do coletor/emissor Vceo: 10V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 1.6GHz. Função: VHF-UHF-A. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 100mA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

Transistor NPN, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Carcaça: TO-50. Corrente do coletor: 0.025A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-50-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Resistor B: NINCS. Resistor BE: Soldagem PCB (SMD). C (pol.): TO-50. Diodo CE: componente montado em superfície (SMD) . Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3.2GHz. Função: Amplificador RF de banda larga até faixa de GHz.. Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 20. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Spec info: Transistor RF Planar

Transistor NPN, 1A, 100V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF/S. Nota: b>70. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF/HF/S. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 75V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF/HF/S. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.25A, 50V. Corrente do coletor: 1.25A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 860 MHz. Função: UHF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.07W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 36V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 36V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 470 MHz. Função: UHF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 7.8W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 860 MHz. Função: UHF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Interruptor de alimentação inteligente no lado superior . Equivalentes: ISP452. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. Diodo CE: sim

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261AA. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: AS3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Custo): 8pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 350 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Marcação na caixa: U8. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 60 ns. Tr: 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: serigrafia/código CMS U8. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: U8. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: U8. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. C (pol.): 90pF. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Potência média, solenóide, drivers de relé e atuador e módulos DC/DC. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 35. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: AR4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf (tipo): 1000 ns. Tr: 250 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD AR4. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente do coletor: 250mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 25. Marcação na caixa: B2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 18 ns. Tf(min): 12us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Spec info: impressão de tela/código SMD B2

Transistor NPN, 1A, 120V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO39

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 8A, 150V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 330V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V