Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( SOT-54 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Corrente do coletor: 250mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 12V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 400 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 25. Marcação na caixa: B2. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.225mW. RoHS: sim. Spec info: impressão de tela/código SMD B2. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tf(máx.): 18 ns. Tf(min): 12us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V

Transistor NPN, 1A, 120V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Spec info: TO39. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 7A, 60V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 130V

Transistor NPN, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 8A, 150V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 330V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, 350V. Corrente do coletor: 12A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 85W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247FP, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 8A, TO-247, TO-247, 700V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Spec info: 33 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-247, TO-247FP, 800V. Corrente do coletor: 9A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 9A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF ( SOT399 ), 800V. Corrente do coletor: 9A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF ( SOT399 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: VCE(sat) 5.0V. Spec info: adequado para alimentar TVs SONY. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Comutação de alta tensão e alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 13. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Nota: Tensão de isolamento 2500V. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: Switching times (16kHz line deflection circuit). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Potência . Tf(máx.): 0.5us. Tf(min): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: TV-HA, hi-res (F). Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: MONITOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.22us. Tf(min): 0.16us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-399. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 25A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de potência de silício. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V

Transistor NPN, 12A, SOT-199, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: SOT-199. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: (F). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-247, TO-247, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P(H)IS, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P(H)IS. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 145pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA Hi-re. Ic(pulso): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.35us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.1V

Transistor NPN, 12A, SOT-199, 800V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: SOT-199. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA hi-re. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. Spec info: SOT199 (F). Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V