Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 1 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 750. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 7us. Tf(min): 0.9us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BDW84C

Transistor NPN, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Marcação do fabricante: BDW93C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Frequência de corte ft [MHz]: 20 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 80W. Número de terminais: 3. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Quantidade por caixa: 2. Número de terminais: 3. Função: transistor complementar (par) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 100V, 12A, TO-220FP. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 33W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor de potência Darlington NPN. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BDW93C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Ganho máximo de hFE: 750. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 15A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Diodo embutido: sim. Potência: 70W. Frequência máxima: 20MHz. Número de terminais: 3. Função: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: transistor complementar (par) BDX34C

Transistor NPN, 80V, 8A, TO-220-F. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220-F. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 20W. Frequência máxima: 20MHz

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: +150°C. Ganho mínimo de hFE: 750. Ic(pulso): 12A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistores Darlington de potência complementar. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Tipo de transistor: Transistor de potência Darlington . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 60W. Frequência máxima: 20MHz. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Nota: transistor complementar (par) BDX54C. Função: amplificador de áudio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Corrente do coletor: 15A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 350V. Material semicondutor: silício. Função: fonte de alimentação em modo de comutação . Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. RoHS: NINCS. Td(desligado): 3.5us. Td(ligado): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 25mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Custo): 3.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 1100 MHz. Função: TV-IF. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Resistor B: transistor NPN . Resistor BE: RF-POWER. C (pol.): 25V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN. Função: TV-IF-reVHF. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 25mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BF240. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 40V. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 30mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.22W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 25mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Custo): 2pF. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: transistor complementar (par) BF421. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Custo): 1.6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: Amplificador de VÍDEO.. Ganho mínimo de hFE: 50. Ic(pulso): 100mA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor complementar (par) BF423. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 5.5pF. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Função: VID-L. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 300mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 250V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.5A, 300V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Material semicondutor: silício. FT: 45 MHz. Função: VID-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 0.05A, 400V. Corrente do coletor: 0.05A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Spec info: TO-93