Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 1.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD139-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-126 FULLPACK. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 10W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-126. Custo): SOT-32. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 80V, 1.5A, TO-126. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 12.5W

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 0.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 375V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 3mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD179G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.03W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 1.5A, 100V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 125 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. Corrente do coletor: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD237. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Spec info: transistor complementar (par) BD238

Transistor NPN, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Spec info: transistor complementar (par) BD238. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-225, 2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-225. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 2A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-225. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD237G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 30W. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 4A. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD240C

Transistor NPN, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 3A. Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 40W. Frequência máxima: 3MHz. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 8A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD242C

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 10. Ic(pulso): 5A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD242C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, 100V, 6A, TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD243C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-220AB. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD243C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 65W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: Transistor de potência complementar. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Spec info: transistor complementar (par) BD244C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 65W. Frequência máxima: 3MHz. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V

Transistor NPN, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) BD246C

Transistor NPN, 10A, 115V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Função: NF-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) BD246C

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 40A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BD250C. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Corrente do coletor: 25A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-218. Tensão do coletor/emissor Vceo: 115V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) BD250C