Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP 5516. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP52-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BH-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Custo): 6pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP56/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCP53-16 . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BH-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BH. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 20V. Frequência de corte ft [MHz]: 60 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: XGs. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 50V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 500mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 10k Ohms. Resistor BE: 10k Ohms. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Transistor com resistor de polarização integrado. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: XCs. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 1V. Spec info: serigrafia/código CMS XCs. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor Darlington NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: EF. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 150 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Nota: >420. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCW60RC. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: U1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 125V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Transistor NPN, Aplicações AF e comutação. Ganho máximo de hFE: 63. Ganho mínimo de hFE: 25. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: EKs. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...150°C. Vcbo: 125V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX42. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: bM. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: amplificadores de áudio e vídeo. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 1.5A. Marcação na caixa: BH. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD BH

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: amplificadores de áudio e vídeo. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 63. Ic(pulso): 1.5A. Nota: serigrafia/código SMD BK. Marcação na caixa: BK. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX53-10

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-89, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-89. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-243. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BL. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 180 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Nota: serigrafia/código SMD BL. Marcação na caixa: BL. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BCX53-16

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: AK*. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: SMD AK* (AKp, AKt, AKW)

Transistor NPN, 100mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 200A. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.34W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.75V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-18, 200mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-18. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: NINCS. Carcaça (padrão JEDEC): TO-206AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BCY59-9. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +200°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 3A, 60V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 18.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: NF-L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 45V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126 plastic. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: Amplificadores de áudio e aplicações. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. Corrente do coletor: 1.5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-32. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BD139. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 12.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor de potência NPN . Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 12.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Spec info: transistor complementar (par) BD140