Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 1A, TO-92, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Spec info: transistor complementar (par) BC640. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Spec info: transistor complementar (par) BC640-16. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Pd (dissipação de energia, máx.): 800mW. Spec info: transistor complementar (par) BC640-16. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC639-16. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100V, 1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.8W. Frequência máxima: 100MHz

Transistor NPN, 100V, 1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 100V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.8W. Frequência máxima: 50MHz

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6As. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Spec info: SMD 6As. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Spec info: SMD 6A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6B. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 6B. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 10pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 6C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 3pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-TR. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Marcação na caixa: 6C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: SMD 6C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 800mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6g. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 500mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 6g. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236AB, 65V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-236AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 11pF. Custo): 2pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Marcação na caixa: 1B. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: SMD 1B. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Vebo: 6V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SC-70, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SC-70. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Marcação na caixa: 8AC. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Spec info: SMD 8AC. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 250mV. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 600mV. Vebo: 6V