Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Nota: ( E,C,B ). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Spec info: BC237/25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC237BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 120V, 0.5A, TO-39. Tensão coletor-emissor VCEO: 120V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.85W. Frequência máxima: 120MHz

Transistor NPN, 60V, 0.5A, TO-39. Tensão coletor-emissor VCEO: 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.85W. Frequência máxima: 120MHz

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 15pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 210 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.63W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) BC327-40. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 210 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.63W

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC327-16. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC327-40. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.63W. Frequência máxima: 100MHz

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: NINCS. Custo): 40pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 63. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 85. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC369. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Ganho máximo de hFE: 160000. Ganho mínimo de hFE: 8000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: VEBO 12V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 200MHz. Ganho mínimo de hFE: 30000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC516. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 10V