Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-39 ( TO-205 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO39. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. RoHS: sim. Resistor B: sim. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 80pF. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: para aplicações de média potência e comutação. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) BC161-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 500. Ganho mínimo de hFE: 240. Nota: ( E,C,B ). Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 0.2A, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: BC237/25

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC237BG. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 120V, 0.5A, TO-39. Tensão coletor-emissor VCEO: 120V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.85W. Frequência máxima: 120MHz

Transistor NPN, 60V, 0.5A, TO-39. Tensão coletor-emissor VCEO: 60V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-39. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.85W. Frequência máxima: 120MHz

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 15pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 210 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.63W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-25. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-40

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sim. Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC337-40. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 210 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Família de componentes: transistor NPN

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.63W

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-16. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-25. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Custo): 12pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 630. Ganho mínimo de hFE: 250. Ic(pulso): 1A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC327-40. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 50V, 0.8A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 50V. Corrente do coletor: 0.8A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.63W. Frequência máxima: 100MHz

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Custo): 40pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 63. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 85. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) BC369