Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 0.7A, 140V. Corrente do coletor: 0.7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Corrente do coletor: 200mA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 300V. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: Saída cromática de TV em cores (VID-L). Ganho máximo de hFE: 140. Ganho mínimo de hFE: 70. Marcação na caixa: C1507 O. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Saída de deflexão vertical da TV. Ganho máximo de hFE: 125. Ganho mínimo de hFE: 60. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA940. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Resistor B: 10. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 60pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Função: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 60pF. Diodo CE: NINCS. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 10A. Marcação na caixa: KSC5027 (O). Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 60pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 15 MHz. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 30. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-3PF (SOT399). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10. Diodo CE: sim. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: High Switching 0.1us. Ganho máximo de hFE: 22. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: C5386. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: VEBO 6V. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. BE diodo: NINCS. Custo): 80pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: Monitor 68KHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Pinagem: 1. C (pol.): 1.5pF. Custo): 11pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 150mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 150mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Pinagem: 1. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 120. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) KSA733. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 150. Marcação na caixa: D2012-G. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) KSB1366 . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220F, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 180pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Modo de comutação de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 24A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta velocidade. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 600mA, TO-92, TO-92, 40V. Corrente do coletor: 600mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. BE diodo: NINCS. Custo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 75V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Marcação na caixa: R1002. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 22k Ohms. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 22k Ohms. Custo): 100pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: SW. Marcação na caixa: R1003. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: +55...+150°C. Vcbo: 50V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: SW. Marcação na caixa: R1007. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, TO-92, TO-92. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. BE diodo: NINCS. Custo): 0.8pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. BE diodo: NINCS. Custo): 1pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Transistor de alta tensão para CRT de definição padrão. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 12A, ISOWATT218FX, TO-218-FX, 700V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: ISOWATT218FX. Habitação (conforme ficha técnica): TO-218-FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 7. Ganho mínimo de hFE: 4.5. Ic(pulso): 18A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: FAST-SWITCH. Ganho máximo de hFE: 18. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 58W. RoHS: sim. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.3V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 21A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO–204AE ), 400V. Corrente do coletor: 50A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO–204AE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 4pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 25. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Corrente do coletor: 50A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Ganho máximo de hFE: 18000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Spec info: transistor complementar (par) MJ11033. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 140V, 20A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 140V. Corrente do coletor: 20A. RoHS: sim. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. Spec info: transistor complementar (par) MJ15004. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+200°C. Vcbo: 140V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: Transistor de Potência . Ganho máximo de hFE: 150. Ganho mínimo de hFE: 25