Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 55pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 12A, TO-3PF, 150V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1588

Transistor NPN, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 10A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1588

Transistor NPN, 6A, 110V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1625

Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 6A. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 6A. Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA Hi-r. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Nota: Vce(sat)=5V

Transistor NPN, 80V, 3A, MT-3-A1. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: MT-3-A1. Tipo de transistor: transistor de potência NPN . Polaridade: NPN. Potência: 1.5W. Frequência máxima: 50 MHz

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: TO-220. Ganho máximo de hFE: 12000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Marcação na caixa: D2589. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1659

Transistor NPN, 2A, TO-220, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-220AB. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: 2A. Ic(pulso): 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 3. Ic(pulso): 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Vebo: 5V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 22W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-1, 300mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-1. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.15W

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Corrente do coletor: 0.7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Função: uso geral. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 4A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W

Transistor NPN, soldagem PCB, D18/C, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D18/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 12A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD551. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 150V. Dissipação máxima Ptot [W]: 100W

Transistor NPN, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB631K

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-236, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 700mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 2A. Nota: 9mm. Marcação na caixa: D667. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB647