Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 35pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação na caixa: D2012. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1366. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, TO-220, TO-220, 80V, 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Corrente do coletor: 3A. Tipo de transistor: NPN. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Função: transistor de pacote isolado . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor NPN, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Corrente do coletor: 3.5A. Carcaça: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 110V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Ideal para saída Hi-Fi de 120 W . Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 3500. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington tipo planar de difusão tripla . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corrente do coletor: 0.3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: IBp=2A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50MHz. Função: Amplificação de potência com alta corrente direta. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1560. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( MT-100 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1560. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Função: S Io-sat. Nota: serigrafia/código SMD DT. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1561. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: D2394. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 55pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 40 MHz. Ganho máximo de hFE: 2000. Ganho mínimo de hFE: 1000. Ic(pulso): 6A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 150V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1588. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1588. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 110V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Nota: >5000. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1625. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): 2-16E3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 40 Ohms. Custo): 95pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Função: CTV-HA. Ganho máximo de hFE: 25. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Tipo MESA Tripla Difusão . Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 8A, 700V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CRT-HA Hi-r. Nota: Vce(sat)=5V. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Função: TO-220. Ganho máximo de hFE: 12000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Marcação na caixa: D2589. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1659. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 110V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V

Transistor NPN, 2A, TO-220, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Ic(pulso): 5A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 3. Ic(pulso): 7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 22W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1.5A, 60V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN