Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Corrente do coletor: 3.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 700V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 17A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/SL. Nota: hFE 100...200. Tipo de transistor: NPN. Spec info: 2SD1609-C

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Ic(pulso): 4A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1123S. Marcação na caixa: DF. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DF . BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Nota: hFE 200...400. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DF, transistor complementar (par) 2SB1123T. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: DG. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DG

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO PCP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada. Ganho máximo de hFE: 4000. Ganho mínimo de hFE: 3000. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: DI. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafia/código SMD DI, transistor complementar (par) 2SB1126. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Nota: hFE 3000...4000. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Tipo de transistor: NPN. Função: Alta corrente DC, drivers de relé, controle de regulação de tensão. Spec info: serigrafia/código SMD DJ

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DK, hFE 120...200

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 180. Id(im): 8A. Marcação na caixa: DK. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: serigrafia/código SMD DK

Transistor NPN, 3.5A, 800V. Corrente do coletor: 3.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 800V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: transistor bipolar. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: DAQ. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafia/código SMD DAQ

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Id(im): 12A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1135. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Id(im): 15A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1136. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-E-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1.5A, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF/E (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1186A