Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 2A, 100V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: transistor de pacote isolado . Nota: >1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Custo): 25pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 35. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1202. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 35. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Spec info: transistor complementar (par) 2SB1204

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Ganho máximo de hFE: 5000. Ganho mínimo de hFE: 2000. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Spec info: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 5A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Amplificador de saída de deflexão horizontal para TV em cores.. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1274

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: transistor de pacote isolado . Ganho mínimo de hFE: 3000. Nota: =3000. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1342

Transistor NPN, soldagem PCB, M31/C, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/650V. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 1500V. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 650V

Transistor NPN, 10A, 650V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Função: S-L TV/HA(F)

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat DC/DC. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): 2-10R1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Custo): 35pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 100. Marcação na caixa: D2012. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Triple Diffused Type. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1366. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220FP. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V/60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 30W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 3A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 30W. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Corrente do coletor: 3.5A. Carcaça: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, 3A, 100V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Io-sat. Nota: >500. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 110V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 110V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TOP-3L. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: Ideal para saída Hi-Fi de 120 W . Ganho máximo de hFE: 20000. Ganho mínimo de hFE: 3500. Ic(pulso): 15A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Darlington tipo planar de difusão tripla . Tf(máx.): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.3A, 30 v. Corrente do coletor: 0.3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: IBp=2A

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50MHz. Função: Amplificação de potência com alta corrente direta. Ganho máximo de hFE: 1000. Ganho mínimo de hFE: 500. Ic(pulso): 6A. Temperatura: +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: 2.37k Ohms. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P ( MT-100 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 55 MHz. Função: hFE 5000. Ganho mínimo de hFE: 5000. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Triplo Difuso . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1560. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 210 MHz. Função: S Io-sat. Nota: serigrafia/código SMD DT. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1561

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: D2394. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 7V