Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 150V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Ganho máximo de hFE: 240. Ganho mínimo de hFE: 40. Ic(pulso): 3A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 800mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V/80V. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W

Transistor NPN, 0.7A, 25V. Corrente do coletor: 0.7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 280 MHz. Função: uso geral. Nota: hFE 120...240. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Alta resolução . Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Spec info: MONITOR. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 120V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 20. Ic(pulso): 2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 8W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB631K. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-236, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-236. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/25V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 700mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 700mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30V/15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 140 MHz. Função: Amplificador de potência de baixa frequência. Ganho máximo de hFE: 120. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 2A. Nota: 9mm. Marcação na caixa: D667. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB647. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Silicon NPN Epitaxial. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 4A, 100V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB682. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB688. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF/SL. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB764. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD871. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 30 v. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. BE diodo: NINCS. Custo): 45pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 4000. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Spec info: TO-126. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.02A, 120V. Corrente do coletor: 0.02A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: NF. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: NINCS. Custo): 50pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Amplificador de saída AF. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 340. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V

Transistor NPN, soldagem PCB, D8/C, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W