Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-126, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-126. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-82. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUX87P. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 450V. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 2A, 800V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 2200V

Transistor NPN, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Custo): 130pF. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: D44H11. Equivalentes: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) D45H11. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tf(máx.): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H11G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Corrente do coletor: 10A. Tipo de transistor: NPN. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. BE diodo: NINCS. Custo): 90pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 50 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: transistor complementar (par) D45H8. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-220. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: D44H8G. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Corrente do coletor: 50mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SC-59. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 10k Ohms. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 10k Ohms. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: DTR.. Ic(pulso): 100mA. Marcação na caixa: 24. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.2W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 24. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Potência: 0.2W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 4.7k Ohms. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Transistor com resistor de polarização integrado. Ganho mínimo de hFE: 200. Nota: serigrafia/código SMD 33. Marcação na caixa: *33, P33, t33, w33. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente do coletor: 0.03A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Resistor B: 47k Ohms. BE diodo: NINCS. Resistor BE: 47k Ohms. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Marcação na caixa: 26. Spec info: serigrafia/código SMD 26. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Corrente do coletor: 100A. Carcaça: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Módulo de transistor Power Darlington NPN. Ganho máximo de hFE: 300. Ganho mínimo de hFE: 300. Ic(pulso): 150A. Nota: Parafusado. Número de terminais: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 225W. RoHS: sim. Spec info: Single Dual Emitter. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Tipo de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.25V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Nota: serigrafia . Marcação na caixa: J6810. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Corrente do coletor: 17A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 250V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 30 MHz. Função: HI-FI. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 80. Marcação na caixa: J4315O. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) FJL4215-O. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 250V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 800V. Corrente do coletor: 20A. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 5.5. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de silício planar triplo difuso . Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho mínimo de hFE: 30. Ic(pulso): 300mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. RoHS: sim. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de Silício Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 400V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. BE diodo: NINCS. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Comutação rápida de alta tensão. Ganho máximo de hFE: 60. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Marcação na caixa: J13007. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 9V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 0.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 0.3A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FZT458. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 400V. Frequência de corte ft [MHz]: 50 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 24A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 800V. Corrente do coletor: 24A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA hi-res (F). Ic(pulso): 36A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Spec info: 0.17...0.31us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 250 ns. Tf(min): 180 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.95V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 10V

Transistor NPN. Quantidade por caixa: 1. Função: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN. Diodo CE: sim. Quantidade por caixa: 1. Função: HA, hi-def. Nota: 0.2. Spec info: MONITOR

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 400V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade. Ganho máximo de hFE: 47. Ganho mínimo de hFE: 29. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Spec info: Transistor Planar Epitaxial . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -50...+150°C. Vcbo: 450V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.8V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: hFE 160...320. Spec info: transistor complementar (par) HSB1109. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Spec info: TO-92M. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Spec info: TO-92M. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Spec info: TO-92M. Tipo de transistor: NPN