Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 4A, 100V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 8 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB682

Transistor NPN, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 12 MHz. Função: amplificador de potência de áudio. Ganho máximo de hFE: 160. Ganho mínimo de hFE: 55. Ic(pulso): 10A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB688. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 0.7A, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 0.7A. Carcaça: TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-220AB, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 25W

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 60V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Nota: B=1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 120V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: NF/SL. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, 60V. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.9W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: transistor complementar (par) 2SB764. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD871. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 3A, 30 v. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 3A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Custo): 45pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 90 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 60. Ic(pulso): 7A. Marcação na caixa: D882. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complementar (par) 2SB772. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, M31/J, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 330V/200V. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 2A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Corrente do coletor: 2A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Carcaça: TO-126 (TO-225, SOT-32). Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: hFE 4000. Pd (dissipação de energia, máx.): 5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Spec info: TO-126

Transistor NPN, 0.02A, 120V. Corrente do coletor: 0.02A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: NPN. Função: NF

Transistor NPN, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Custo): 50pF. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Amplificador de saída AF. Ganho máximo de hFE: 600. Ganho mínimo de hFE: 340. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldagem PCB, D8/C, 500mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: D8/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 25V/20V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.6W

Transistor NPN, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220C. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Função: Fast-switching. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: D13009K. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 400V. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 24A. Marcação na caixa: D209L. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(min): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor NPN, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: TO-126F. Habitação (conforme ficha técnica): TO-126F. Tensão do coletor/emissor Vceo: 490V. Transistor Darlington?: NINCS. Material semicondutor: silício. FT: 4 MHz. Ganho máximo de hFE: 20. Ganho mínimo de hFE: 16. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: 4202BD. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 800V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.18V. Vebo: 13V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. BE diodo: NINCS. Diodo CE: sim

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-323, 40mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-323. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 40mA. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 32. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 5.5V. Frequência de corte ft [MHz]: 2.4GHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Corrente do coletor: 0.2A. Carcaça: TO-18 ( TO-206 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-18. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. Resistor B: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-18. Custo): 4.5pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS