Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6810

Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6810
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3 - 4 14.67€ 18.04€
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V - FJAF6810. Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 8:1. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Nota: serigrafia . Marcação na caixa: J6810. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Spec info: High Switching Speed tF(typ.)=0.1uS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 3V. Vebo: 6V. Produto original do fabricante Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 13:25.

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Transistor NPN, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Corrente do coletor: 14A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): ISOWATT218FX. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.6pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 64kHz. Função: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Data de produção: 2014/17. Ganho máximo de hFE: 8.5. Ganho mínimo de hFE: 6. Ic(pulso): 21A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Vebo: 9V
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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Custo): 500pF. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Deflexão horizontal do display colorido de alta tensão . Ganho máximo de hFE: 40. Ganho mínimo de hFE: 15. Ic(pulso): 30A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Spec info: 0.1...0.3us. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V
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FJAF6810A

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Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 6V
FJAF6810A
Transistor NPN, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 750V. Corrente do coletor: 10A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 750V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: Comutação de alta velocidade . Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Marcação na caixa: J6810A. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf (tipo): 0.2us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1550V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3V. Vebo: 6V
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