Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 1.2A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.2A. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor Darlington NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC517. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC517. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 200 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1.2A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v, 30V. Corrente do coletor: 1.2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Tensão coletor-emissor VCEO: 30V. Material semicondutor: silício. FT: 200MHz. Ganho mínimo de hFE: 30000. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC516. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1V. Vebo: 10V. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Tipo: Transistor Darlington. Potência: 0.625W

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Unidade de condicionamento: 2000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC556A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 0.2A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC556B. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V

Transistor NPN, TO-92, 100mA, 80V, 0.2A. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Tensão coletor-emissor VCEO: 80V. Corrente do coletor: 0.2A. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC546B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 65V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.5W

Transistor NPN, 65V, 0.1A, TO-92. Tensão coletor-emissor VCEO: 65V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Tipo de transistor: transistor NPN . Polaridade: NPN. Potência: 0.5W

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 65V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 90. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC557A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC547B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC557B. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC547B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 100mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): TO-92. Custo): TO-226. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 270. Ic(pulso): 200mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: transistor complementar (par) BC557C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC547C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC547C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC547C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 ( Ammo Pack ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC558B. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 30 v

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC548B. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC548C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-92, 100mA. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-226AA. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BC549C. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 2.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC560B. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, TO-92, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Carcaça: TO-92. Corrente do coletor: 0.1A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92 3L (Ammo Pack). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. RoHS: sim. Resistor B: sim. BE diodo: NINCS. Resistor BE: soldagem PCB. C (pol.): 9pF. Custo): 3.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 250 MHz. Função: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Ic(pulso): +150°C. Equivalentes: BC550CG, BC550CBU. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.625W. Spec info: transistor complementar (par) BC560C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. C (pol.): 50pF. Custo): 7pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 130 MHz. Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 40. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.8W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Epitaxial Planar . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V