Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 1.5pF. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 220. Ganho mínimo de hFE: 110. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 1E. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 1E. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.09V

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. Spec info: serigrafia/código SMD 1F. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1F. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Corrente do coletor: 100mA. Carcaça: SOT-363 ( SC-88 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-363. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 2. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: DUAL NPN & PNP. Ganho máximo de hFE: 450. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 200mA. Marcação na caixa: 13. Número de terminais: 6. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 13. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: PNP & NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SC-88, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SC-88. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: par de transistores NPN e PNP. Carcaça (padrão JEDEC): SOT-363. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 13. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.22W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 4.5pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 250. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.225W. Spec info: serigrafia/código SMD 1G. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.25V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.6V. Vebo: 6V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1g. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.33W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD 1K. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1g. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1g. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 300 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.31W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1Ls. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.33W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-236. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 1L. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SC-70, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SC-70. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: transistor NPN . Carcaça (padrão JEDEC): SOT-323. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 30 v. Frequência de corte ft [MHz]: 100 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Corrente do coletor: 0.1A. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 300 MHz. Função: uso geral. Ganho máximo de hFE: 800. Ganho mínimo de hFE: 420. Spec info: SMD 2G. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.25V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: NINCS. Custo): 22pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 85. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: CAC. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD CAC. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. BE diodo: NINCS. Custo): 22pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 170 MHz. Ganho máximo de hFE: 375. Ganho mínimo de hFE: 160. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: CDC. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD CDC. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), TSSOP6, 100mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TSSOP6. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 100mA. RoHS: sim. Família de componentes: par de transistores NPN e PNP. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: M1. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 250 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 1.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1.5A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 45V. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 45V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP54/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BCP51-16. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Custo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP 5516. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BCP52-16. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

Transistor NPN, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 1A. RoHS: sim. Família de componentes: transistor de potência NPN . Carcaça (padrão JEDEC): TO-261. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BH-10. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 80V. Frequência de corte ft [MHz]: 130 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. BE diodo: NINCS. Custo): 6pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Aplicações de áudio, telefonia e automotivas . Ganho máximo de hFE: 250. Ganho mínimo de hFE: 100. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: BCP56/16. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.35W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) BCP53-16 . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V