Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Corrente do coletor: 1.5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO PCP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: alta corrente DC, drivers de relé, drivers de lâmpada. Ganho máximo de hFE: 4000. Ganho mínimo de hFE: 3000. Ic(pulso): 3A. Marcação na caixa: DI. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Spec info: serigrafia/código SMD DI, transistor complementar (par) 2SB1126. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V

Transistor NPN, 2A, 30 v. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Alta corrente DC, drivers de relé, controle de regulação de tensão. Nota: hFE 3000...4000. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.5W. Spec info: serigrafia/código SMD DJ. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafia/código SMD DK, hFE 120...200. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SANYO--PCP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 20V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 120 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 320. Ganho mínimo de hFE: 180. Id(im): 8A. Marcação na caixa: DK. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafia/código SMD DK. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.5V

Transistor NPN, 3.5A, 800V. Corrente do coletor: 3.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 800V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Corrente do coletor: 1A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 32V. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 1000. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: transistor bipolar. Ganho máximo de hFE: 270. Ganho mínimo de hFE: 120. Ic(pulso): 2A. Marcação na caixa: DAQ. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD DAQ. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Tipo plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura operacional: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

Transistor NPN, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Id(im): 12A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1135. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Corrente do coletor: 12A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 10 MHz. Função: circuitos de comutação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 70. Id(im): 15A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1136. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 40V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 40V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 100 MHz. Função: NF-E-L. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3). Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, TO-220FP, 60V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: TO-220FP. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 70 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 1.5A, 160V. Corrente do coletor: 1.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 80 MHz. Função: NF/E (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1186A. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, 100V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 100V. Diodo CE: sim. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: transistor de pacote isolado . Nota: >1000. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente. Ganho máximo de hFE: 560. Ganho mínimo de hFE: 35. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 15W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1202. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Corrente do coletor: 8A. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 180 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 35. Ic(pulso): 12A. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1204. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Corrente do coletor: 4A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220ML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 20 MHz. Função: motorista . Ganho máximo de hFE: 5000. Ganho mínimo de hFE: 2000. Ic(pulso): 6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. Spec info: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial . Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 70V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.9V

Transistor NPN, 5A, 700V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PML. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: kHz. Função: Amplificador de saída de deflexão horizontal para TV em cores.. Ganho máximo de hFE: 10. Ganho mínimo de hFE: 5. Ic(pulso): 20A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 4A, 80V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 80V. Transistor Darlington?: sim. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: transistor de pacote isolado . Ganho mínimo de hFE: 3000. Nota: =3000. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB1342. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, soldagem PCB, M31/C, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/C. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/650V. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 1500V. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 650V

Transistor NPN, 10A, 650V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: S-L TV/HA(F). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat DC/DC. Ganho máximo de hFE: 350. Ganho mínimo de hFE: 200. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2.5A, 1500V. Corrente do coletor: 2.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 10W. Tipo de transistor: NPN