Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Custo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Ganho máximo de hFE: 400. Ganho mínimo de hFE: 200. Ic(pulso): 4A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) 2SB892. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor Darlington de Silício Planar Epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

Transistor NPN, soldagem PCB, TO-3, 10A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 10A. RoHS: NINCS. Família de componentes: transistor NPN de alta tensão. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2SD1279. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 600V. Frequência de corte ft [MHz]: 3 MHz. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor NPN, soldagem PCB, M37/J, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M37/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 7A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 120V. Dissipação máxima Ptot [W]: 70W

Transistor NPN, 8A, 120V. Corrente do coletor: 8A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 120V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 60 MHz. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: 2.32k Ohms. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corrente do coletor: 0.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 25V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 200 MHz. Função: Io-sat. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.6W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, M46/J, 6A, 600V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M46/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipação máxima Ptot [W]: 80W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: 80W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): NPN. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, M31/J, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1.5 kV. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, 600V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, M31/J, 5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 5A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1500V/600V. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Marcação do fabricante: silício. Frequência de corte ft [MHz]: NPN. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): 600V

Transistor NPN, soldagem PCB, M37/J, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M37/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor Darlington NPN . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 1500V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: isolado . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Corrente do coletor: 3.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V