Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Transistor Darlington?: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 3 MHz. Ganho mínimo de hFE: 8:1. Ic(pulso): 16A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Planar Triplo Difuso . Tf(máx.): 0.7us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tensão de saturação VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

Transistor NPN, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 800V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 600V, 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Corrente do coletor: 6A. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, 600V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, M31/J, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M31/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 3A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor bipolar NPN. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 1.5 kV. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 4A, 1500V. Corrente do coletor: 4A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, 600V. Corrente do coletor: 3A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, 600V. Corrente do coletor: 5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, soldagem PCB, M37/J, 6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: M37/J. Corrente do coletor Ic [A], máx.: 6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor Darlington NPN . Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Tensão coletor-emissor Uceo [V]: 100V. Dissipação máxima Ptot [W]: 60W

Transistor NPN, 1A, 30 v. Corrente do coletor: 1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 30 v. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Número de terminais: 3. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, 1500V. Corrente do coletor: 6A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: (F). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Spec info: isolado . Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-93. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 7A, 600V. Corrente do coletor: 7A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 10A, 600V. Corrente do coletor: 10A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: CTV-HA (isolado). Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1400V

Transistor NPN, 3.5A, 600V. Corrente do coletor: 3.5A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 600V. Corrente do coletor: 6A. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: TV-HA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 2A, 700V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 700V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Pd (dissipação de energia, máx.): 80W. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Corrente do coletor: 5A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 1500V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 2 MHz. Ganho máximo de hFE: 15. Ganho mínimo de hFE: 4. Ic(pulso): 17A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tf(máx.): 1us. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 0.1A, 160V. Corrente do coletor: 0.1A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 160V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. Função: NF/SL. Nota: hFE 100...200. Spec info: 2SD1609-C. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 2A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Ic(pulso): 4A. Nota: transistor complementar (par) 2SB1123S. Marcação na caixa: DF. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD DF . Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de Silício Planar Epitaxial . Tf(máx.): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

Transistor NPN, 2A, 60V. Corrente do coletor: 2A. Tensão do coletor/emissor Vceo: 60V. BE diodo: NINCS. Diodo CE: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Nota: hFE 200...400. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. Spec info: serigrafia/código SMD DF, transistor complementar (par) 2SB1123T. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Corrente do coletor: 3A. Carcaça: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão do coletor/emissor Vceo: 50V. Quantidade por caixa: 1. Material semicondutor: silício. FT: 150 MHz. Função: Comutação de alta corrente, tensão de baixa saturação . Ganho máximo de hFE: 280. Ganho mínimo de hFE: 140. Ic(pulso): 6A. Marcação na caixa: DG. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Spec info: serigrafia/código SMD DG. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistores de silício planares epitaxiais . Tf(máx.): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tensão de saturação VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V